[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810985855.2 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110299160B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 金镇浩;吴星来 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置包括：多个通道晶体管，所述多个通道晶体管沿着第一方向设置在基板上方，并且被配置为向存储单元阵列传送工作电压；以及多条全局线，所述多条全局线被形成在所述通道晶体管上方的第一布线层中，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送工作电压。所述全局线沿着所述第一方向仅被设置在所述多个通道晶体管中的一些通道晶体管的第一方向间距内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：多个通道晶体管，所述多个通道晶体管沿着第一方向设置在基板上方，并且被配置为向存储单元阵列传送工作电压；以及多条全局线，所述多条全局线被形成在所述通道晶体管上方的第一布线层中，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且被配置为分别向对应的通道晶体管传送所述工作电压，其中，所述全局线仅被设置在所述多个通道晶体管当中的一些通道晶体管的第一方向间距内，并且不被设置在所述多个通道晶体管当中的剩余通道晶体管的第一方向间距内。
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