[发明专利]一种K2MnGe3S8非线性光学晶体及制法和用途

摘要

本发明涉及K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体及制法和用途；K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体的生长中，晶体具有生长速度较快、成本低、容易获得较大尺寸晶体等优点；所得K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体具有非线性光学效应适中，在0.42‑13μm波段高透过，激光损伤阈值高，硬度较大，机械性能好，易于加工等优点；该K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

主权项

1.一种K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体，该K₂MnGe₃S₈非线性光学晶体不具备对称中心，属单斜晶系，空间群为P2₁，其晶胞参数为：α＝γ＝90°，β＝96.13°，Z＝8。