[发明专利]一种Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201810987180.5 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109166965A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 张丹;胡益丰;卢雅琳;朱小芹;孙月梅;邹华 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 高姗 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及微电子材料技术领域，具体涉及一种Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用。Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜中单层Sb70Se30薄膜和单层Si薄膜交替堆叠排列成多层膜结构，单层Sb70Se30薄膜的厚度范围为1～10nm，单层Si薄膜的厚度范围为1～10nm，所述Sb70Se30/Si复合相变薄膜总厚度为50～60nm。通过交替溅射沉积Sb70Se30层和Si层，在纳米量级复合而成。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的用于相变存储器的Sb70Se30/Si复合薄膜材料具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；同时本发明的薄膜材料具有较高的晶化温度和激活能，从而能够极大的改善PCRAM的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 单层 多层复合 相变薄膜 制备方法和应用 晶化 复合薄膜材料 相变薄膜材料 多层膜结构 微电子材料 相变存储器 薄膜材料 复合相变 交替堆叠 交替溅射 纳米量级 传统的 激活能 沉积 存储 复合 | ||
【主权项】：
1.一种Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜，其特征在于，所述Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜中单层Sb70Se30薄膜和单层Si薄膜交替堆叠排列成多层膜结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏理工学院，未经江苏理工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810987180.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
