[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810987785.4 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148663B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 吴琼;李威平 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。包括从下往上依次设置的基板、N型半导体层、活性层、P型半导体层，且活性层、P型半导体层面积小于N型半导体层，以露出部分N型半导体层，还包括位于所述N型半导体层上方且与N型半导体层电性连接的N型焊盘电极、位于所述P型半导体层上方且与P型半导体层电性连接的P型焊盘电极、由N型焊盘电极及P型焊盘电极延伸出来的指形电极、位于N型半导体层上方及P型半导体层上方并露出N型焊盘电极及P型焊盘电极的钝化层；所述N型焊盘电极、P型焊盘电极、指形电极均包括从下往上依次设置的欧姆接触层、下部反射层、应力缓和层、导电金属层、上部反射层。本发明通过上部反射层防止由钝化层全反射的光再被金属电极吸收，从而提高外部出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括从下往上依次设置的基板、N型半导体层、活性层、P型半导体层，且活性层、P型半导体层面积小于N型半导体层，以露出部分N型半导体层，还包括位于所述N型半导体层上方且与N型半导体层电性连接的N型焊盘电极、位于所述P型半导体层上方且与P型半导体层电性连接的P型焊盘电极、由N型焊盘电极及P型焊盘电极延伸出来的指形电极、位于N型半导体层上方及P型半导体层上方并露出N型焊盘电极及P型焊盘电极的钝化层；所述N型焊盘电极、P型焊盘电极、指形电极均包括从下往上依次设置的欧姆接触层、下部反射层、应力缓和层、导电金属层、上部反射层。
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