[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201810987811.3 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109950376A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | 发光二极管包含半导体层以及电极。第一型半导体层包含第一低电阻部位、第二低电阻部位以及介于第一低电阻部位与第二低电阻部位之间的高电阻部位。高电阻部位包围第一低电阻部位并配置以将电荷载子实质地限制于第一低电阻部位内。第一型半导体层的电阻值由第一低电阻部位往高电阻部位增加，并由高电阻部位往第二低电阻部位减少。第一电极电性连接至第一低电阻部位，且第一电极与第二低电阻部位之间实质上并没有电流流通。第一型半导体层的一部分介于第一电极与第二型半导体层之间。第二电极电性连接至第二型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 低电阻 高电阻 第一型半导体层 第一电极 第二型半导体层 发光二极管 电性连接 半导体层 部位减少 部位增加 第二电极 电流流通 电荷 电极 电阻 质地 包围 配置 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包含：第一型半导体层，包含第一低电阻部位、至少一个第二低电阻部位以及高电阻部位，其中该高电阻部位介于该第一低电阻部位以及该第二低电阻部位之间，该高电阻部位包围该第一低电阻部位，且该第一型半导体层的电阻值由该第一低电阻部位往该高电阻部位增加，并由该高电阻部位往该第二低电阻部位减少；第一电极，电性连接至该第一低电阻部位，且在该第一电极与该第二低电阻部位之间没有电流流通，其中该高电阻部位配置以将电荷载子限制于该第一低电阻部位内部；第二型半导体层，其中该第一型半导体层的至少一部分介于该第一电极与该第二型半导体层之间；以及第二电极，电性连接至该第二型半导体层。
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