[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板有效
| 申请号： | 201810988346.5 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109192661B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 张扬;丁录科;周斌;王海涛;刘宁;方金钢;黄勇潮;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，该薄膜晶体管包括：依次层叠设置的遮光层、第一金属层、绝缘层和混合层；其中，所述第一金属层包括相互间隔的栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述遮光层包括位于所述栅极和所述源极之间的部分以及位于所述栅极和漏极之间的部分；所述混合层包括第一导体层、第二导体层和有源层。该薄膜晶体管中，通过设置遮光层可避免光线照射对薄膜晶体管的影响，提高薄膜晶体管工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置的遮光层、第一金属层、绝缘层和混合层；其中，所述第一金属层包括相互间隔的栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间；所述遮光层包括位于所述栅极和所述源极之间的部分以及位于所述栅极和漏极之间的部分；所述混合层包括第一导体层、第二导体层和有源层，所述有源层在其厚度方向的投影位于所述栅极在其厚度方向的投影范围内，所述第一导体层和所述第二导体层分别位于所述有源层的两侧，所述第一导体层通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述源极电连接，所述第二导体层通过贯穿所述绝缘层的第二过孔与所述漏极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
