[发明专利]图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管有效
| 申请号： | 201810988705.7 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110867503B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化衬底的方法、图形化衬底及发光二极管。包括依次进行的掩膜降低阶段、主刻蚀阶段和过刻蚀阶段，掩膜降低阶段：对表面形成有掩膜的衬底以预设的第一刻蚀工艺参数进行刻蚀，第一刻蚀工艺参数满足掩膜的刻蚀速率大于衬底的刻蚀速率，以降低掩膜的高度；主刻蚀阶段：对经过掩膜降低阶段的衬底以预设的第二刻蚀工艺参数进行刻蚀，以提高衬底的底宽和拐点夹角；过刻蚀阶段，对经过主刻蚀阶段的衬底的形貌以预设的第三刻蚀工艺参数进行修饰，以获得图形化衬底。本发明的图形化衬底的方法，可以有效缩短工艺时间，提高制作产能。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 制作方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
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