[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201810988857.7 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109346561B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 丁杰;秦双娇;胡任浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L21/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。方法：将衬底放置到生长反应室；顺次在衬底上生长低温GaN缓冲层、GaN成核层、n型GaN层和发光层；生成脉冲信号，并在第一脉冲周期的高电平，输入Ga源至生长反应室；在第二脉冲周期的高电平，输入Al源至生长反应室；在第三脉冲周期的高电平，输入In源至生长反应室；在第一脉冲周期的低电平、第二脉冲周期的低电平、以及第三脉冲周期的低电平，分别输入NH |
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| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将衬底放置到生长反应室；顺次在所述衬底上生长低温GaN缓冲层、GaN成核层、n型GaN层和发光层；生成脉冲信号，并在第一脉冲周期的高电平，输入Ga源至所述生长反应室；在第二脉冲周期的高电平，输入Al源至所述生长反应室；在第三脉冲周期的高电平，输入In源至所述生长反应室；在所述第一脉冲周期的低电平、所述第二脉冲周期的低电平、以及所述第三脉冲周期的低电平，分别输入NH3至所述生长反应室，以在所述发光层上形成AlInGaN电子阻挡层；所述脉冲信号的第一个脉冲周期为所述第一脉冲周期、所述第二脉冲周期或者所述第三脉冲周期，紧邻所述第一脉冲周期之后的脉冲周期是所述第二脉冲周期，紧邻所述第二脉冲周期之后的脉冲周期是所述第三脉冲周期，紧邻所述第三脉冲周期之后的脉冲周期是所述第一脉冲周期。
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