[发明专利]用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备在审

专利信息
申请号: 201810990332.7 申请日: 2018-08-28
公开(公告)号: CN108950510A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 陈杰锋;张辉 申请(专利权)人: 深圳市旺鑫精密工业有限公司
主分类号: C23C14/50 分类号: C23C14/50;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/04
代理公司: 深圳市查策知识产权代理事务所(普通合伙) 44527 代理人: 曾令安
地址: 518111 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉淀设备,包括承接环及覆盖环,所述承接环的内表面上具有环形内凹台,所述环形内凹台设有用于承接基片的第一承接面,所述承接环的顶部设有用于承接所述覆盖环的第二承接面,所述第一承接面通过弧形引导面连接至所述第二承接面,所述覆盖环的内侧设有向下方向厚度逐渐缩小的插接片,所述插接片靠近基片的一侧与基片的边缘紧密贴合。本发明避免由于出现缝隙而造成在基片的侧边镀膜,进一步避免了绕镀。覆盖环能够避免弧形引导面上被镀膜,而造成内凹台直径尺寸的偏差,承接环被覆盖环完全覆盖且表面形成熔射层,进一步防止了承接环被污染。
搜索关键词: 承接环 覆盖环 承接面 内凹台 物理气相沉积 插接片 沉积环 镀膜 承接 物理气相沉积设备 表面形成 沉淀设备 紧密贴合 向下方向 逐渐缩小 内表面 熔射层 引导面 侧边 污染
【主权项】:
1.用于物理气相沉积的沉积环,其特征在于:包括承接环及覆盖环,所述承接环的内表面上具有环形内凹台,所述环形内凹台设有用于承接基片的第一承接面,所述承接环的顶部设有用于承接所述覆盖环的第二承接面,所述第一承接面通过弧形引导面连接至所述第二承接面,所述覆盖环的内侧设有向下方向厚度逐渐缩小的插接片,所述插接片靠近基片的一侧与基片的边缘紧密贴合,所述插接片靠近弧形引导面的一侧与弧形引导面紧密贴合。
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