[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810990558.7 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109244122A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘钺杨;金锐;和峰;董少华;刘江;冷国庆;温家良;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一半导体层，形成在衬底上，第二导电类型与第一导电类型相反；多个不连续的第一绝缘凸起，形成在第一半导体层上；第一金属电极层，形成在多个不连续的第一绝缘凸起上。通过若干不连续的第一绝缘凸起，使得第一金属电极层相对于衬底为凹凸结构，当垂直压接力施加在第一金属电极层表面时，由于凸起的存在使得第一金属电极层产生横向形变，进而通过第一金属电极层的横向形变分散部分压接力，以减少作用在第一半导体层以及衬底上的压接力，缓解垂直压力对器件造成的应力损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极层 衬底 凸起 半导体器件 半导体层 不连续 压接力 绝缘 第一导电类型 导电类型 横向形变 制备 半导体技术领域 凹凸结构 垂直压力 应力损伤 垂直 施加 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一半导体层，形成在所述衬底上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；多个不连续的第一绝缘凸起，形成在所述第一半导体层上；第一金属电极层，形成在所述多个不连续的第一绝缘凸起上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810990558.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
