[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810991194.4 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109192779B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张金平;邹华;罗君轶;赵阳;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/06;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，本发明通过在传统碳化硅UMOSFET结构的基础上，通过改进器件结构设计并最终集成了具有整流特性的肖特基接触或异质结接触。该改进在优化传统碳化硅UMOSFET结构基本特性的同时，实现了多子整流器件的集成，极大地优化了器件第三象限工作性能，另外，本发明还针对器件动态性能进行了优化，具有更短的开关时间；除此之外，本发明还具有工艺简单、易于实现的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于：元胞结构包括自下而上依次设置的漏极金属(1)、碳化硅N+衬底(2)及碳化硅N‑外延层(3)；所述碳化硅N‑外延层(3)左上方具有碳化硅P+区(4)，所述碳化硅N‑外延层(3)右上方具有台面结构，所述台面结构包括碳化硅Pbase区(10)、碳化硅N+源区(11)和碳化硅P+接触区(12)，所述碳化硅N+源区(11)和碳化硅P+接触区(12)位于碳化硅Pbase区(10)上方，所述台面结构左侧、碳化硅N‑外延层(3)上方具有栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层(5)、多晶硅栅(6)以及栅电极(9)，多晶硅栅(6)由栅介质层(5)包围，其上方通过栅电极(9)引出；所述栅电极(9)底部高度等于所述台面结构顶部高度，所述台面结构深度浅于栅极结构，所述碳化硅Pbase区(10)、碳化硅N+源区(11)与栅极结构紧密接触，所述栅极结构左侧、碳化硅P+区(4)上方以及部分碳化硅N‑外延层(3)上方具有肖特基接触金属(13)，肖特基接触金属(13)与碳化硅N‑外延层(3)表面直接接触，形成具有整流特性的肖特基接触；所述器件表面由一层源极金属(7)覆盖，所述源极金属(7)与栅电极(9)通过硼磷硅玻璃BPSG(8)相互隔离。
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