[发明专利]一种碳化硅沟槽MOS器件有效
| 申请号： | 201810992057.2 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109119462B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;何清源;廖天;张科;方健;杨霏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅沟槽MOS器件。本发明主要特征在于：采用T字形槽栅结构，辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度，减小导通电阻，同时提高击穿电压；采用P型埋层作为缓冲层，降低饱和电流，提高抗短路能力。相比于传统的碳化硅沟槽MOS器件，本发明不仅具有更低的导通电阻、更高的击穿电压，而且具有更好的抗短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 mos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅沟槽MOS器件，包括N+衬底层(1)以及位于N+衬底层(1)上表面的N型外延层(2)；所述N+衬底层(1)的底部引出漏极电极；在N型外延层(2)上层嵌入设置有槽栅结构；在N型外延层(2)上层与槽栅结构并列的区域，沿器件垂直方向自下而上依次具有P型埋层(3)、JFET区(4)、P型阱区(5)以及N+源区(6)；将器件横向剖面图定义为直角坐标平面，即器件横向方向为x轴，器件垂直方向为y轴，定义器件纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向，即z轴，x轴、y轴和z轴构成三维坐标系；沿z轴方向的中部，具有P+体接触区(7)，且P+体接触区(7)沿y轴方向依次贯穿N+源区(6)、P型阱区(5)和JFET区(4)，P+体接触区(7)的底部与P型埋层(3)相接；所述N+源区(6)和P+体接触区(7)的上表面引出源极电极；沿z轴方向，所述P型埋层(3)具有凸起结构，即沿z轴方向，P型埋层(3)的中部区域沿x轴方向延伸，且该凸起结构部位与P+体接触区(7)接触；所述槽栅结构呈“T”字形，即由栅极导电材料(8)和栅介质层(9)组成浅且宽的导电槽、位于导电槽下方深且窄的介质槽(10)；所述导电槽的底部与P型埋层(3)的顶部相接触；所述介质槽(10)垂直贯穿P型埋层(3)且延伸入N型外延层(2)；所述栅极导电材料(8)引出栅极电极。
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