[发明专利]碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法及电子器件有效
| 申请号： | 201810992435.7 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109225094B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 董立军;谢雨农;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B01J19/08 | 分类号： | B01J19/08;B01J3/00 |
| 代理公司： | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人： | 李伟波;孟奎 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法，包括：在碳纳米管薄膜形成后或在制备基于碳纳米管薄膜的电子器件的过程中，通过含氢等离子体与碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应，以去除碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜 表面 聚合物 去除 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管薄膜的表面聚合物的去除方法，其特征在于，所述方法包括：在所述碳纳米管薄膜形成后或在制备基于所述碳纳米管薄膜的电子器件的过程中，通过含氢等离子体与所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物反应，以去除所述碳纳米管薄膜的表面的高分子聚合物。
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