[发明专利]多晶硅栅的制造方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅栅的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成栅介质层、第一多晶硅层和硬质掩膜层；步骤二、依次对硬质掩膜层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，刻蚀后的第一多晶硅层组成多晶硅栅；步骤三、在多晶硅栅的侧面自对准形成侧墙，通过硬质掩膜层将侧墙的顶部表面增加到高于多晶硅栅的顶部表面；步骤四、去除硬质掩膜层。本发明能通过硬质掩膜层将多晶硅栅表面调节到低于侧墙的顶部表面，形成多晶硅栅的顶部表面低于侧墙的顶部表面的结构，能防止多晶硅栅和两侧的接触孔短路，提高产品良率。

主权项

1.一种多晶硅栅的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成栅介质层、第一多晶硅层和硬质掩膜层，所述硬质掩膜层用于调节后续形成侧墙后多晶硅栅表面低于所述侧墙的表面的高度；步骤二、依次对所述硬质掩膜层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，刻蚀后的所述第一多晶硅层组成多晶硅栅；步骤三、采用淀积加全面刻蚀工艺在表面叠加有所述硬质掩膜层的所述多晶硅栅的侧面自对准形成侧墙，所述侧墙顶部表面根据所述硬质掩膜层的顶部表面的高度自对准设置且将所述侧墙的顶部表面增加到高于所述多晶硅栅的顶部表面；步骤四、去除所述硬质掩膜层并形成所述多晶硅栅的顶部表面低于所述侧墙的顶部表面的结构，消除所述多晶硅栅突出到所述侧墙顶部时发生所述多晶硅栅和所述多晶硅栅外的有源区的接触孔短路的风险。