[发明专利]半导体存储设备及其制造方法及包括存储设备的电子设备有效
| 申请号： | 201810992854.0 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109285836B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储设备及其制造方法及包括该存储设备的电子设备。根据实施例，半导体存储设备可以包括：衬底；设置在衬底上的存储单元阵列，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列排列，各存储单元包括竖直延伸的柱状有源区，柱状有源区包括分别位于上下两端的源/漏区以及位于源/漏区之间的沟道区；以及在衬底上形成的多条位线，各条位线分别位于相应存储单元列的下方，且与相应列中各存储单元下端的源/漏区电连接，其中，各存储单元还包括绕沟道区外周形成的栅堆叠，相应存储单元行中各存储单元的栅堆叠中的栅导体层沿着行的方向彼此连续地延伸从而构成相应的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 设备 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储设备，包括：衬底；设置在衬底上的存储单元阵列，所述存储单元阵列中的存储单元按行和列排列，各存储单元包括竖直延伸的柱状有源区，柱状有源区包括分别位于上下两端的源/漏区以及位于源/漏区之间的沟道区；以及在衬底上形成的多条位线，各条位线分别位于相应存储单元列的下方，且与相应列中各存储单元下端的源/漏区电连接，其中，各存储单元还包括绕沟道区外周形成的栅堆叠，相应存储单元行中各存储单元的栅堆叠中的栅导体层沿着行的方向彼此连续地延伸从而构成相应的字线。
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