[发明专利]高抗闩锁能力的IGBT器件

摘要

本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种高抗闩锁能力的IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。元胞沟槽呈倒T字型，源极接触孔呈T字型，在源极接触孔的第二孔区内设置接触孔电介质层，从而能对第一导电类型漂移区内的载流子流通路径进行引导，即使得空穴载流子绕开元胞沟槽的槽底向元胞区集中，在T字型源极接触孔的作用下，可以使得空穴在有源区零电位的吸引下，绕开第一导电类型源区，并能竖直向上集中流向第一孔区，从而使得IGBT器件中寄生晶闸管更难达到闩锁条件，提高IGBT器件的抗闩锁能力，安全可靠。

主权项

1.一种高抗闩锁能力的IGBT器件，包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区以及位于所述第一导电类型漂移区内上部的第二导电类型基区；其特征是：所述元胞区包括若干元胞，每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，所述元胞沟槽位于第二导电类型基区内，且元胞沟槽的槽底位于所述第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；在所述IGBT器件的截面上，元胞沟槽槽底的宽度大于元胞沟槽槽口的宽度，在元胞沟槽内的侧壁以及底壁设置栅氧化层，在设置栅氧化层的元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅；在元胞沟槽相对应外侧壁的第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与邻近元胞沟槽的外侧壁接触；在相邻的元胞沟槽之间设置源极接触孔，所述源极接触孔贯穿第二导电类型基区，源极接触孔的孔底位于第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；所述源极接触孔包括位于上部的第一孔区以及位于下部的第二孔区，所述第一孔区的宽度大于第二孔区的宽度，第一孔区与第二孔区相互连通，在所述第二孔区的内壁上设置接触孔电介质层；在所述IGBT器件的截面上，第一导电类型漂移区的上方还设置源极金属层以及栅极金属层，所述源极金属层填充在源极接触孔的第一孔区以及第二孔区内，且源极金属与第二导电类型基区、第一导电类型源区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅欧姆接触。