[发明专利]一种漏电LED芯片的检测方法在审
| 申请号： | 201810993754.X | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109342915A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴亦容;庄家铭;陈凯;赵兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265;G01R31/26;G01R31/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种漏电LED芯片的检测方法，包括以下步骤：对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。本发明的检测方法可对尺寸小于100微米的Micro LED进行检测，不需要接触芯片的两极，漏电LED芯片检测率高。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 加热 检测 红外扫描 扫描区域 量子阱 成型 两极 扫描 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种漏电LED芯片的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：对尺寸小于100微米的LED芯片进行加热，加热温度不高于LED芯片量子阱的成型温度；采用红外扫描的方法对加热后的LED芯片进行扫描，扫描区域上出现颜色的地方为漏电LED芯片。
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