[发明专利]一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法有效
| 申请号： | 201810994703.9 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109326548B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈燕丽;唐海红;郭长锦;江嘉庚 | 申请（专利权）人： | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L25/075 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350015 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法。将磁性材料预先处理于LED的正电极面；将磁性材料喷涂于接收基板上，后贴附ACF，同时将共阴基板贴附上ACF；结合网板与磁性材料控制电路，将LED贴附于接收基板上，后施加一定温度、压力，进行bonding；将共阴基板施加一定温度、压力后，进行bonding。本发明方法能够实现垂直结构mLED或uLED巨量转移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 垂直 结构 mled uled 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现垂直结构mLED或uLED巨量转移的方法，其特征在于，首先，将磁性材料喷涂于LED的正电极面；而后，将磁性材料喷涂于接收基板上；再而，结合网板与磁性材料控制电路，将LED贴附于接收基板上，并使LED与接收基板贴附导通；最后，将共阴极基板与接收基板进行压合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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