[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201810995566.0 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109817603A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王朝勋;尹煜峰;赵高毅;王美匀;张峰瑜;高承远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L29/49 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 导电层形成在金属栅极结构与接触部件之间，上述金属栅极结构包含高介电常数栅极介电层及栅极电极。导电层可选择性地沉积在栅极电极的上表面上方；或通过例如控制沉积的时间，而不具选择性地形成在栅极介电层及栅极电极的上表面上。导电层具有镶入栅极电极内的底部。导电层及接触部件可由不同的沉积技术形成，但导电层及接触部件可包含相同的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极电极 导电层 接触部件 沉积 金属栅极结构 上表面 高介电常数栅极 半导体结构 导电层形成 栅极介电层 介电层 镶入 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一金属栅极结构，其包括一栅极介电层及一栅极电极；一导电层，形成于该金属栅极结构的一上表面上，其中该导电层的一部分镶入于该金属栅极结构的一上表面的下方；以及一接触部件，设置于该金属栅极结构的该上表面上，其中该接触部件与该导电层的一上表面直接接触。
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