[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括在基板上形成多晶硅层；在多晶硅层上依次形成至少一栅极绝缘层和至少一间绝缘层及其上的过孔图案，该过孔图案包括栅极沟槽和源漏极孔，通过填充栅极沟槽以形成栅极线。本发明通过采用栅极绝缘层和间绝缘层的叠层制备，为栅极沟槽的形成提供条件；此外，栅极绝缘层和间绝缘层的叠层制备，配合在栅极绝缘层和间绝缘层上制备过孔以形成过孔图案以及填充过孔图案以制备栅极线等步骤，使得栅极线的形成和过孔图案的形成可以采用相同的光罩即可完成，从而减少光罩使用数量，降低生产成本。

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上依次形成至少一栅极绝缘层和至少一间绝缘层，在所述栅极绝缘层或所述间绝缘层上涂布第一光阻层，所述第一光阻层经过一光罩曝光及显影液显影后，采用蚀刻制程处理所述栅极绝缘层和所述间绝缘层以形成源漏极孔并暴露部分的多晶硅层，同时于所述栅极绝缘层或所述间绝缘层上形成栅极沟槽，剥离所述栅极绝缘层或所述间绝缘层上剩余的所述第一光阻层；填充所述源漏极孔及所述栅极沟槽并在所述部分暴露的多晶硅层、所述栅极绝缘层或/和所述间绝缘层上形成栅极层，再在所述栅极层上涂布第二光阻层，所述第二光阻层经过所述光罩曝光及显影液显影后，对所述栅极层进行蚀刻制程处理以在所述栅极沟槽下方对应的栅极绝缘层或间绝缘层上形成栅极线；其中，所述栅极沟槽的深度小于所述栅极绝缘层和所述间绝缘层的厚度之和。