[发明专利]复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法有效
申请号: | 201810996818.1 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN110875402B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 黄文;李尚栋;郭俊雄;贺振北;何宇豪;龚天巡;林媛;俞滨 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 张小丽;梁鑫 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于光电材料技术领域,具体涉及一种复合薄膜敏感材料、红外探测器及制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种复合薄膜敏感材料及其制备方法,该复合薄膜敏感材料包括二维材料层和金属纳米颗粒层;其中,金属纳米颗粒为圆锥状,底面直径为5~40nm、高度为3~17nm,金属纳米颗粒层为单层的金属纳米颗粒。本发明通过对二维材料进行金属纳米颗粒修饰所得的复合薄膜敏感材料能够提高对近红外光的吸收率。 | ||
搜索关键词: | 复合 薄膜 敏感 材料 红外探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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