[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810997289.7 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427791B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 梁雪云;郑洛教;洪熙范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底，在第一区域和第二区域之间具有缓冲区域，第一区域是SRAM单元区域，第二区域是外围电路区域；第一栅极结构，在第一区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；第二栅极结构，在第二区域上在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开，第一栅极结构和第二栅极结构彼此对准；第一绝缘结构，在第二方向上在缓冲区域上延伸，该第一绝缘结构在第一区域和第二区域之间沿着第一区域和第二区域的每个的整个长度在第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在第一区域上并与所述多个第一栅极结构的一部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域、第二区域以及在所述第一区域和所述第二区域之间的缓冲区域，所述第一区域是SRAM单元区域，所述第二区域是用于操作所述SRAM单元区域的第一外围电路区域；多个第一栅极结构，在所述衬底的所述第一区域上在第一方向上延伸得长，所述多个第一栅极结构在与所述第一方向不同的第二方向上彼此间隔开；多个第二栅极结构，在所述衬底的所述第二区域上在所述第一方向上延伸得长，所述多个第二栅极结构在所述第二方向上彼此间隔开，并且所述多个第二栅极结构中的每一个与所述多个第一栅极结构中的对应一个沿着所述第一方向对准成一行；第一绝缘结构，在所述衬底的所述缓冲区域上在所述第二方向上延伸，所述第一绝缘结构在所述第一区域和所述第二区域之间沿着所述第一区域和所述第二区域中的每个的整个长度在所述第二方向上延伸；以及第二绝缘结构，在所述衬底的所述第一区域上，所述第二绝缘结构与所述多个第一栅极结构的一部分接触。
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