[发明专利]一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器有效
申请号: | 201810997396.X | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109103282B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 郭道友 | 申请(专利权)人: | 北京镓族科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君;王文红 |
地址: | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器,包括生长在衬底上的氧化镓纳米柱阵列光阳极,所述的氧化镓纳米柱阵列是在透明导电衬底上生长的α相或β相氧化镓纳米柱阵列。本发明还提出所述光电化学型日盲紫外探测器的制备方法。本发明提出的光电化学型日盲紫外探测器,其中的氧化镓纳米柱阵列沿着透明导电电极衬底定向生长,其形貌、尺寸均匀,且具有较大的比表面积,与电解液形成的界面接触多,有利于光生载流子的分离和传输。本发明所制备的氧化镓纳米柱阵列光电化学型日盲紫外探测器在一定功率的紫外光照射下,无需外加电源偏压即可工作,可以减少能源的消耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 纳米 阵列 光电 化学 型日盲 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器,其特征在于,包括生长在衬底上的氧化镓纳米柱阵列光阳极,所述的氧化镓纳米柱阵列是在透明导电衬底上生长的α相或β相氧化镓纳米柱阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的