[发明专利]一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器有效

专利信息
申请号: 201810997396.X 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109103282B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 郭道友 申请(专利权)人: 北京镓族科技有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王文君;王文红
地址: 101300 北京市顺义区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器,包括生长在衬底上的氧化镓纳米柱阵列光阳极,所述的氧化镓纳米柱阵列是在透明导电衬底上生长的α相或β相氧化镓纳米柱阵列。本发明还提出所述光电化学型日盲紫外探测器的制备方法。本发明提出的光电化学型日盲紫外探测器,其中的氧化镓纳米柱阵列沿着透明导电电极衬底定向生长,其形貌、尺寸均匀,且具有较大的比表面积,与电解液形成的界面接触多,有利于光生载流子的分离和传输。本发明所制备的氧化镓纳米柱阵列光电化学型日盲紫外探测器在一定功率的紫外光照射下,无需外加电源偏压即可工作,可以减少能源的消耗。
搜索关键词: 一种 基于 氧化 纳米 阵列 光电 化学 型日盲 紫外 探测器
【主权项】:
1.一种基于氧化镓纳米柱阵列的光电化学型日盲紫外探测器,其特征在于,包括生长在衬底上的氧化镓纳米柱阵列光阳极,所述的氧化镓纳米柱阵列是在透明导电衬底上生长的α相或β相氧化镓纳米柱阵列。
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