[发明专利]用于实现微电子封装结构中的焊料接头稳定性的衬底架构在审

专利信息
申请号: 201810997721.2 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN109585389A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: R·尼克森;N·德什潘德;O·卡尔哈德;T·德博尼斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了接合封装结构的方法/结构。这些方法/结构可以包括:包含第一管芯的第一衬底,其中,底部填充材料设置在所述第一衬底的第一表面上、与所述第一管芯相邻;以及设置在所述第一衬底上的第二衬底,其中,所述第二衬底包括设置在所述第一管芯之上的至少一个开口,其中,所述至少一个开口至少部分地用底部填充材料来填充。
搜索关键词: 衬底 管芯 底部填充材料 开口 微电子封装结构 焊料 第一表面 封装结构 接合 填充 架构
【主权项】:
1.一种微电子封装结构,包括:第一衬底;第一管芯,其设置在所述第一衬底的表面上;底部填充材料,其设置在所述第一衬底的所述表面上、与所述第一管芯相邻;以及第二衬底,其设置在所述第一衬底上,其中,所述第二衬底包括至少一个开口,其中,所述至少一个开口设置在所述第一管芯之上,并且其中,所述至少一个开口至少部分地用所述底部填充材料来填充。
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