[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810997831.9 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109166916B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张金平;赵倩;王康;刘竞秀;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过在传统电荷存储型IGBT器件结构的基础上，在基区中形成异质结结构，从而形成阻挡漂移区内的少数载流子流入基区的势垒，由此大幅度提高漂移区内靠近发射极一侧的少数载流子浓度，改善了漂移区载流子分布浓度，增强IGBT的电导调制效应，从而降低器件正向导通压降Vceon，优化IGBT正向导通压降Vceon与关断损耗Eoff之间的折中特性；克服了传统电荷存储层在降低Vceon的同时导致击穿电压下降的缺点；并且通过调整形成异质结结构的不同禁带宽度半导体材料的组合能够进一步优化器件工作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其元胞结构包括：集电极金属(13)、第二导电类型半导体集电区(12)、第一导电类型半导体漂移区(9)第二导电类型半导体基区(5)、第二导电类型半导体发射区(4)、第一导电类型半导体发射区(3)、栅极结构和发射极金属(1)；集电极金属(13)设置在第二导电类型半导体集电区(12)的背面；第一导电类型半导体漂移区(9)设置在第二导电类型半导体集电区(12)的正面；第二导电类型半导体基区(5)设置在第一导电类型半导体漂移区(9)的顶层；第二导电类型半导体发射区(4)以及与第二导电类型半导体发射区(4)两侧相接触的第一导电类型半导体发射区(3)并排设置在第二导电类型半导体基区(5)的顶层；栅极结构包括栅电极(61)和栅介质层(62)，栅电极(61)通过栅介质层(62)与第一导电类型半导体发射区(3)和第二导电类型半导体基区(5)相接触；发射极金属(1)设置在器件最上面，且与第二导电类型半导体发射区(4)和第一导电类型半导体发射区(3)的上表面相接触，与栅电极(61)通过隔离介质层(2)相接触；其特征在于：所述第二导电类型半导体基区(5)包括第一半导体基区(52)和设置在第一禁带半导体基区(52)上表面的第二半导体基区(51)，所述第二半导体的禁带宽度大于所述第一半导体的禁带宽度，不同禁带宽度的第一半导体基区(52)和第二半导体基区(51)在其接触界面形成同型异质结。
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