[发明专利]基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法在审

专利信息
申请号: 201810999246.2 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109243504A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 何忠波 申请(专利权)人: 成都锐成芯微科技股份有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基准电流产生电路、非易失性存储器及基准电流产生方法,涉及非易失性存储器技术领域。该基准电流产生电路包括相互并联的两个存储器件,以及分别与两个存储器件串联的两个选通开关,两个存储器件的另一端分别连接于编程COM线和擦除COM线;两个选通开关远离存储器件的一端连接于第一组场效应管;第一组场效应管中的第一场效应管的栅极和源极还连接有第二组场效应管中第二场效应管的栅极,第二组场效应管的源极连接于基准电流产生电路的输出端。本发明技术方案在使用过程中,可根据编程和擦除循环次数和温度等的变化,并根据影响程度相应调整第一组场效应管和第二组场效应管的个数,可以保证基准电流有足够的电流裕度。
搜索关键词: 效应管 组场 基准电流产生电路 存储器件 非易失性存储器 基准电流 场效应管 选通开关 编程 擦除循环 电流裕度 一端连接 源极连接 输出端 并联 擦除 源极 串联 保证
【主权项】:
1.一种基准电流产生电路,其特征在于,所述基准电流产生电路包括相互并联的两个存储器件,以及分别与两个存储器件串联的两个选通开关,两个存储器件的另一端分别连接于编程COM线和擦除COM线;两个所述选通开关远离所述存储器件的一端连接于第一组场效应管;所述第一组场效应管中的第一场效应管的栅极和源极还连接有第二组场效应管中第二场效应管的栅极,所述第二组场效应管的源极连接于所述基准电流产生电路的输出端。
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