[发明专利]一种多叠层式纳米压电器件在审

专利信息
申请号: 201810999915.6 申请日: 2018-08-20
公开(公告)号: CN109166959A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 王二萍;张金平;张洋洋;孙彩霞;田凯 申请(专利权)人: 黄河科技学院
主分类号: H01L41/18 分类号: H01L41/18;H01L41/083;H01L41/27
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 450000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种多叠层式纳米压电器件,从下往上依次包括聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层I、氧化锌纳米线阵列I、掺杂ZnO纳米颗粒PVDF纤维薄膜层、氧化锌纳米线阵列II和聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层II;所述聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层I和聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层II的一侧分别连接有一ITO栅电极,所述ITO栅电极上设有high‑k介质层。本发明具备良好的压电性能,结构稳定,体积小。
搜索关键词: 复合材料薄膜 聚偏氟乙烯 锡酸锌 氧化锌纳米线阵列 压电器件 多叠层 栅电极 基层 结构稳定 压电性能 薄膜层 介质层 体积小 掺杂
【主权项】:
1.一种多叠层式纳米压电器件,其特征在于,从下往上依次包括聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层I、氧化锌纳米线阵列I、掺杂ZnO纳米颗粒PVDF纤维薄膜层、氧化锌纳米线阵列II和聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层II;所述聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层I和聚偏氟乙烯/锡酸锌复合材料薄膜基层II的一侧分别连接有一ITO栅电极,所述ITO栅电极上设有high‑k介质层。
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