[发明专利]用于形成电路结构的装置和方法

摘要

本申请案涉及用于形成电路结构的一种装置和一种方法。一种装置包括竖向延伸的晶体管阵列和邻近于并电耦合到所述阵列的所述竖向延伸的晶体管的电路结构。所述电路结构包括阶梯式结构，所述阶梯式结构包括竖直交替的层，所述竖直交替的层包括通过绝缘材料至少部分地彼此竖向分离的导电阶状物。操作性导电通路孔至少分别竖向地延伸穿过所述导电阶状物中的一个到所述竖直交替的层的底部，且分别电耦合到所述竖直交替的层下方的电子组件。虚设结构至少分别竖向地延伸穿过所述导电阶状物中的一个到所述竖直交替的层的所述底部。还公开了方法。

主权项

1.一种用于形成电路结构的方法，其包括：形成不同组成第一材料和第二材料的竖直交替的层；形成阶梯式结构，其包括阶状物，所述阶状物分别包括在所述第一材料上方的所述第二材料，所述阶梯式结构包括在所述阶状物上方的绝缘材料；形成操作性导电通路孔，其至少分别竖向地延伸穿过所述绝缘材料、穿过所述阶状物中的一个并穿过所述竖直交替的层到所述竖直交替的层的底部；所述操作性导电通路孔分别电耦合到所述竖直交替的层下方的电子组件；形成虚设结构，其至少分别竖向地延伸穿过所述绝缘材料、穿过所述竖直交替的层并穿过所述阶状物中的一个到所述竖直交替的层的所述底部；和在形成所述虚设结构和所述操作性导电通路孔之后，将所述第二材料的至少大部分从所述阶梯式结构蚀刻掉。