[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811004875.3 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110071102A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 沓挂弘之 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实施方式中的半导体装置具备第1导电型的半导体基板。垫设置在半导体基板上。内部电路设置在半导体基板上。静电放电保护元件设置在垫与内部电路之间。静电放电保护元件具备第2导电型的第1阱、第1导电型的第2阱、及第2导电型的第1电极层。第2导电型的第1阱设置在半导体基板的表面区域。第1导电型的第2阱在半导体基板的表面区域中设置在第1阱内。第2导电型的第1电极层在半导体基板的表面区域中设置在第2阱内。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 半导体基板 静电放电保护元件 半导体装置 内部电路 电极层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第1导电型的半导体基板；垫，设置在所述半导体基板上；内部电路，设置在所述半导体基板上；以及静电放电保护元件，设置在所述垫与所述内部电路之间，并且具备：第2导电型的第1阱，设置在所述半导体基板的表面区域；第1导电型的第2阱，在所述半导体基板的表面区域中设置在所述第1阱内；以及第2导电型的第1电极层，在所述半导体基板的表面区域中设置在所述第2阱内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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