[发明专利]带栅场板结构的纵向隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811005122.4 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109244121B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王向展;曹雷;孟思远;李竞春;罗谦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/205 | 分类号： | H01L29/205;H01L29/423;H01L21/331;H01L29/739;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术，本发明的目的是克服目前TFET器件在提升开态电流时会造成如关态泄漏电流随之增加的缺陷或导致器件频率特性衰退的问题，提供了一种带栅场板结构的纵向隧穿场效应晶体管，其技术方案可概括为：在现有纵向隧穿场效应晶体管基础上增加了栅场板介质区及栅场板电极，栅场板介质区设置于本征区上方，且与本征区的上表面相接触，其厚度大于等于栅氧化物的厚度，一侧与栅氧化物的一侧及栅电极的一侧相接触，栅场板电极设置在栅场板介质区上，且与栅场板介质区的上表面相接触，栅场板电极的一侧与栅电极的一侧相接触。本发明的有益效果是，开态电流增加且同时获得较低的平均亚阈值摆幅，适用于隧穿场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 带栅场 板结 纵向 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.带栅场板结构的纵向隧穿场效应晶体管，包括半导体衬底、源区、本征区、漏区、外延区、栅氧化物及栅电极，其特征在于，还包括栅场板介质区及栅场板电极，所述栅场板介质区设置于本征区上方，且与本征区的上表面相接触，其厚度大于等于栅氧化物的厚度，一侧与栅氧化物的一侧及栅电极的一侧相接触，栅场板电极设置在栅场板介质区上，且与栅场板介质区的上表面相接触，栅场板电极的一侧与栅电极的一侧相接触。
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