[发明专利]半导体存储器封装件在审

专利信息
申请号: 201811005175.6 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109994434A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 李钟周;安凞又 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/49
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种半导体存储器封装件。封装件包括:基底基板以及分别布置在基底基板的上表面和下表面上的芯片连接焊盘和外部连接焊盘;以及安装在基底基板上的两个半导体存储芯片,每个半导体存储芯片具有电连接到芯片连接焊盘的芯片焊盘。第一电路径从外部连接焊盘延伸到芯片中的一个芯片的第一芯片焊盘,第二电路径从该外部连接焊盘延伸到另一个芯片的第二芯片焊盘,第一电路径和第二电路径具有公共线路,并且第一电路径具有第一支线,第二电路径具有第二支线。基底基板包括从公共线路延伸的开路短截线,并且开路短截线具有开路的、未连接到另一电路径的端部。
搜索关键词: 电路径 基底基板 外部连接焊盘 芯片焊盘 封装件 半导体存储芯片 半导体存储器 芯片连接焊盘 开路短截线 公共线路 芯片 延伸 电连接 上表面 未连接 下表面 开路
【主权项】:
1.一种半导体存储器封装件,包括:封装基底基板,所述封装基底基板包括基板基底以及分别布置在所述基板基底的上表面和下表面上的多个芯片连接焊盘和多个外部连接焊盘;以及至少两个半导体存储芯片,所述至少两个半导体存储芯片安装在所述封装基底基板上并且每个半导体存储芯片都具有电连接到所述多个芯片连接焊盘的多个芯片焊盘,其中,第一电路径从所述多个外部连接焊盘中的一个外部连接焊盘延伸到所述至少两个半导体存储芯片中的一个半导体存储芯片的第一芯片焊盘,第二电路径从所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘延伸到所述至少两个半导体存储芯片中的另一个半导体存储芯片的第二芯片焊盘,所述第一电路径和所述第二电路径包括从所述第一电路径和所述第二电路径的分支点延伸到所述多个外部连接焊盘中的所述一个外部连接焊盘的公共线路,所述第一电路径的第一支线从所述分支点延伸到所述第一芯片焊盘,所述第二电路径的第二支线从所述分支点延伸到所述第二芯片焊盘,并且所述封装基底基板包括从所述公共线路延伸的开路短截线,所述开路短截线具有连接到所述公共线路的一端和开路的未连接到另一电路径的另一端,并且所述开路短截线的短截线延伸长度大于所述第一支线和所述第二支线中的较长支线的分支延伸长度的一半且小于所述分支延伸长度的两倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811005175.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top