[发明专利]一种TFT基板及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种TFT基板的制备方法，包括提供基板，在基板上依次形成缓冲层和半导体层，半导体层的材质为P型金属氧化物；在半导体层和缓冲层上依次形成栅绝缘材料层和栅金属层；利用光刻胶对栅金属层进行刻蚀形成栅极，对栅绝缘材料层进行刻蚀形成栅绝缘层，栅绝缘层在基板上的正投影比栅极在基板上的正投影面积大，且栅绝缘层在基板上的正投影与栅极在基板上的正投影中心重合；再制备层间绝缘层、源极、漏极和钝化层，得到TFT基板。本发明制得的TFT基板利用顶栅自对准结构减少寄生电容，并通过刻蚀使得栅绝缘层和栅极之间产生偏移，降低栅极到源漏极之间的漏电流；同时采用P型金属氧化物作为半导体层的材质，制得P型TFT基板。

主权项

1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层和半导体层，所述半导体层的材质为P型金属氧化物，所述半导体层覆盖部分所述缓冲层；在所述半导体层和所述缓冲层上依次形成栅绝缘材料层和栅金属层；利用光刻胶对所述栅金属层进行刻蚀形成栅极，以及对所述栅绝缘材料层进行刻蚀形成栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述基板上的正投影比所述栅极在所述基板上的正投影的面积大，且所述栅绝缘层在所述基板上的正投影与所述栅极在所述基板上的正投影中心重合；在所述缓冲层、所述半导体层、所述栅绝缘层和所述栅极上制备层间绝缘层，并形成源极接触区和漏极接触区，再依次制备源极、漏极和钝化层，得到TFT基板。