[发明专利]一种场发射阴极电子源及其阵列在审
| 申请号： | 201811006185.1 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875165A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 卢维尔;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种场发射阴极电子源及其阵列，包括：衬底，及设置在所述衬底同一侧的阴极、阴极尖端和栅极。通过将所述阴极、所述阴极尖端和所述栅极设置于所述衬底的上表面上，并且所述阴极尖端连接在所述阴极上，所述栅极位于所述阴极尖端远离所述阴极的一侧，所述阴极尖端的电子发射端指向所述衬底的靠近所述栅极的侧面。阴极尖端在衬底上为贴合衬底的平行布置，相对于现有技术的立体堆叠结构，具有更高的稳定性和可靠性，适合大规模集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 电子 及其 阵列 | ||
【主权项】：
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