[发明专利]半导体装置组合件和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811006229.0 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN109427755B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: B·P·沃兹;B·L·麦克莱恩;J·E·明尼克;马朝辉 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/488;H01L21/50
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种半导体装置组合件和其制造方法。一种半导体装置组合件,其包含定位在衬底上方的半导体装置,其中多个电互连件形成在所述半导体装置与所述衬底之间。所述衬底的表面包含朝向所述半导体装置延伸的多个离散焊料掩模支座。热压结合过程用于使焊料熔融以形成所述电互连件,这降低所述半导体装置以接触所述多个离散焊料掩模支座且由所述多个离散焊料掩模支座支撑。所述焊料掩模支座准许在所述结合过程期间施加比使用传统焊料掩模更大的压力。所述焊料掩模支座可具有各种多边形或非多边形形状且可按图案定位以保护所述半导体装置和/或所述衬底的敏感区域。所述焊料掩模支座可以是保护所述半导体装置和/或衬底的区域的细长形状。
搜索关键词: 半导体 装置 组合 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置组合件,其包括:衬底,其具有至少一个离散焊料掩模支座;半导体装置,其安置在所述衬底上方,所述半导体装置具有从所述半导体装置朝向所述衬底延伸的至少一个柱,且所述至少一个离散焊料掩模支座从所述衬底朝向所述半导体装置延伸;和其中焊料将所述至少一个柱连接到所述衬底上的迹线,且其中所述至少一个离散焊料掩模支座支撑安置在所述衬底上方的所述半导体装置。
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