[发明专利]改进的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器有效
申请号: | 201811007195.7 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN109425766B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | D·T·特里方诺夫 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | G01R1/28 | 分类号: | G01R1/28 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐东升;王爽 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开改进的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器。本发明实施例涉及包含第一电路分支(310)、第二电路分支(320)和积分器电路(330)的电路(300)。第一分支包含第一晶体管(T31)和第一电流源(I31)以产生包含对应第一晶体管(T31)的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量的第一CTAT电压信号(V31)。第二分支包含第二晶体管(T32)和第二电流源(I32)以产生包含对应第二晶体管的寄生基极电阻和寄生发射极电阻的分量的第二CTAT电压信号(V32)。第一(310)和第二(320)电路分支耦合到积分器电路(330),使积分器电路(330)对第一CTAT电压信号(V31)与第二CTAT电压信号(V32)之间的差进行积分,使得积分信号不包含对应寄生基极电阻和寄生发射极电阻的任何分量。 | ||
搜索关键词: | 改进 绝对温度 互补 ctat 电压 发生器 | ||
【主权项】:
1.一种电路,所述电路包括:第一电路分支,所述第一电路分支包括第一晶体管和第一电流源,所述第一晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子,所述基极端子连接到所述集电极端子,所述第一电流源耦合到所述第一晶体管的所述集电极端子,所述第一电路分支经配置以在所述第一晶体管的所述集电极端子处产生第一绝对温度互补型即CTAT电压信号;第二电路分支,所述第二电路分支包括第二晶体管和第二电流源,所述第二晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子,所述第二晶体管的所述基极端子连接到所述第二晶体管的所述集电极端子,所述第二电流源耦合到所述第二晶体管的所述集电极端子,所述第二电路分支经配置以在所述第二晶体管的所述集电极端子处产生第二CTAT电压信号,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有基本上相同的尺寸,并且所述第一电流源经配置以提供由所述第二电流源提供的电流的量的两倍的电流;以及积分器电路,所述积分器电路包括输入端子,所述输入端子耦合到以下各项中的至少一个:所述第一晶体管的集电极端子和所述第二晶体管的集电极端子,所述积分器电路经配置以基于所述第一CTAT电压信号与所述第二CTAT电压信号之间的差值来产生输出CTAT电压信号。
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