[发明专利]一种双层PNZST钙钛矿反铁电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811007336.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109234679B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 郝喜红;沈秉忠;李雍;孙宁宁;杜金花;王炫力 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01G4/12;H01G4/33;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙) 11265 | 代理人： | 刘少伟 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区包*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种双层PNZST钙钛矿反铁电薄膜及其制备方法，该反铁电薄膜包括化学通式为Pb |
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| 搜索关键词： | 一种 双层 pnzst 钙钛矿反铁电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双层PNZST钙钛矿反铁电薄膜,其特征在于：反铁电薄膜包括从下至上的云母基片、镍酸镧底电极、第一层 Pb0.99Nb0.02(Zr0.55Sn0.40Ti0.05)0.98O3钙钛矿反铁电薄膜、第二层 Pb0.99Nb0.02(Zr0.55Sn0.40Ti0.05)0.98O3钙钛矿反铁电薄膜、镀有金的上电极；所述第一层 Pb0.99Nb0.02(Zr0.55Sn0.40Ti0.05)0.98O3钙钛矿反铁电薄膜的薄膜颗粒尺寸与颗粒间孔隙度均比第二层 Pb0.99Nb0.02(Zr0.55Sn0.40Ti0.05)0.98O3钙钛矿反铁电薄膜相应值小。
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