[发明专利]接触结构上的自对准金属线及其形成方法有效
| 申请号： | 201811009018.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109427742B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;古拉密·波奇;L·埃克诺米科思;孙磊;宁国翔;张洵渊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及接触结构上的自对准金属线及其形成方法，提供形成自对准金属线于接触结构上的结构及方法。形成该自对准金属线及接触结构的该方法可包括：形成一初始接触结构于一衬底的上方；形成一图案化掩膜于该初始接触结构上，该掩膜包括一开口；使用该图案化掩膜以形成通过该初始接触结构的一开口；形成一介电层于该开口中；移除该图案化掩膜以暴露该初始接触结构的一剩余部分；以及形成该金属线于该初始接触结构的该剩余部分上。该接触结构可包括一垂直的截面几何形状，该垂直的截面几何形状包括该第一接触结构的一最底部表面宽于该第一接触结构的一最顶部表面的一梯形及一平行四边形中的一者。该金属线可完全接触该接触结构的一最顶部表面。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 对准 金属线 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)结构，其特征在于，包括：一第一接触结构，其位于一衬底上方的一第一介电层中，其中，该第一接触结构的一垂直的截面几何形状包括该第一接触结构的一最底部表面宽于该第一接触结构的一最顶部表面的一梯形以及一平行四边形中的一者。
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