[发明专利]集成电路器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201811009700.1 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109698186B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 朴硕汉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路器件包括：导电线结构，其包括导电线和绝缘盖图案；以及包括内间隔物和第一绝缘间隔物的绝缘间隔物，内间隔物和第一绝缘间隔物在导电线结构的侧壁上。第一绝缘间隔物包括：狭缝部分；下绝缘部分，其与内间隔物间隔开，使得下绝缘部分的一部分与内间隔物之间的分隔距离随着离衬底的垂直距离增加而减小；以及接触内间隔物的上绝缘部分。一种形成绝缘间隔物的方法包括：在内间隔物上形成聚合物层；形成接触内间隔物和聚合物层中的每个的第一绝缘间隔物层；以及通过部分地去除第一绝缘间隔物层形成第一绝缘间隔物。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：导电线结构，其包括导电线和在所述导电线上的绝缘盖图案，所述导电线在衬底之上在第一水平方向上延伸；以及绝缘间隔物，其包括内间隔物和在所述内间隔物上的第一绝缘间隔物，所述内间隔物接触所述导电线结构的侧壁，并且所述第一绝缘间隔物在所述导电线结构的所述侧壁上，其中所述第一绝缘间隔物包括：在所述衬底上在所述第一水平方向上延伸的狭缝部分；下绝缘部分，其在所述衬底与所述狭缝部分之间在所述第一水平方向上延伸并且与所述内间隔物间隔开，使得所述下绝缘部分的一部分与所述内间隔物之间的分隔距离随着离所述衬底的垂直距离增加而减小；以及上绝缘部分，其接触所述内间隔物并且与所述下绝缘部分间隔开，并且所述狭缝部分在其间。
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