[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811011142.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109755253B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 松尾和展;关原章子;高岛章;青山知宪;矶贝达典;野口将希 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包含半导体层、第一导电层、隧穿绝缘膜和电荷捕获薄膜。所述隧穿绝缘膜设置于所述半导体层与所述第一导电层之间。所述电荷捕获薄膜设置于所述第一导电层与所述隧穿绝缘膜之间。所述电荷捕获薄膜包含第一分离层、第一捕获层和第二捕获层。所述第一捕获层定位于所述隧穿绝缘膜与所述第一分离层之间。所述第二捕获层定位于所述第一导电层与所述第一分离层之间。所述第一捕获层中的电荷捕获效率高于所述第二捕获层中的电荷捕获效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：半导体层；第一导电层；隧穿绝缘膜，其设置于所述半导体层与所述第一导电层之间；以及电荷捕获薄膜，其设置于所述第一导电层与所述隧穿绝缘膜之间，所述电荷捕获薄膜包含第一分离层、第一捕获层和第二捕获层，所述第一捕获层定位于所述隧穿绝缘膜与所述第一分离层之间，所述第二捕获层定位于所述第一导电层与所述第一分离层之间，所述第一捕获层中的电荷捕获效率高于所述第二捕获层中的电荷捕获效率。
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