[发明专利]一种一体化刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201811011770.0 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109166813B 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/768
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种一体化刻蚀方法,所述方法首先根据一体化刻蚀的基础刻蚀参数,量测在多个刻蚀时间下晶圆介质层被刻蚀的厚度,其次根据各所述刻蚀时间以及对应的各所述厚度建立一体化刻蚀程式;接着量测待加工晶圆介质层的厚度以获取厚度值,根据所述厚度值以及所述一体化刻蚀程式对所述一体化刻蚀的基础刻蚀参数进行修正;最后根据修正得到的一体化刻蚀的校准刻蚀参数对所述待加工晶圆进行刻蚀。由于所述一体化刻蚀的校准刻蚀参数中对部分介质层进行刻蚀步骤的刻蚀时间是根据介质层的实际厚度来进行实时调整的,很大程度上保证了刻蚀的精度故而不会对金属层过刻蚀从而达到提高通孔层和金属层之间接触电阻稳定性的目的。
搜索关键词: 一种 一体化 刻蚀 方法
【主权项】:
1.一种一体化刻蚀方法,其特征在于,所述一体化刻蚀方法包括:根据一体化刻蚀的基础刻蚀参数,在多个刻蚀时间下对测试晶圆的介质层进行刻蚀,量测在各所述刻蚀时间下介质层被刻蚀的厚度;根据各所述刻蚀时间以及对应的各所述厚度建立一体化刻蚀程式并输入到先进工艺控制系统中;量测待加工晶圆的介质层的厚度以获取厚度值,所述先进工艺控制系统采集所述厚度值并根据所述厚度值以及所述一体化刻蚀程式对所述一体化刻蚀的基础刻蚀参数进行修正以得到一体化刻蚀的校准刻蚀参数;根据所述一体化刻蚀的校准刻蚀参数对所述待加工晶圆进行刻蚀。
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