[发明专利]一种低损耗纳米晶合金软磁材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811012599.5 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109295385A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 周国华;毛宇晨;黄丛伟;胡曹生 | 申请（专利权）人： | 江西大有科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C38/02 | 分类号： | C22C38/02;C22C38/16;C22C38/12;C22C33/06;H01F1/147 |
| 代理公司： | 南昌赣西专利代理事务所(普通合伙) 36121 | 代理人： | 何彬 |
| 地址： | 336000 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低损耗纳米晶合金软磁材料及其制备方法，通过优化合金配方设计，在国标牌号1K107合金成份的基础上通过添加V、N及少量稀土元素M。经配料、炼钢制备母合金、二次重熔后利用单辊熔体急冷法制备出FeCuNbVSiBNM铁基纳米晶合金薄带，具有高电阻率、低损耗、高Bs值、高磁导率、平整度好等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 低损耗 纳米晶合金 软磁材料 制备 铁基纳米晶合金 制备母合金 高磁导率 高电阻率 合金成份 合金配方 熔体急冷 稀土元素 平整度 薄带 单辊 国标 重熔 炼钢 优化 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗纳米晶合金软磁材料，由铁基合金制备而成，其特征是所述铁基合金组成元素配比为Fe、Cu、Nb、V、Si、B、N、M；控制元素配比中各原子质量百分如下：Si： 12‑13.5% ， B： 7‑9% ，Nb： 1‑3% ， Cu： 1‑2% ，V： 1‑2% ， N： 0.01‑3% ，M： 0‑3% ， Fe： 余量；所述M 为Tb或La任意一种。
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