[发明专利]芯片子模组与凸台的匹配方法及压接型IGBT器件的封装方法有效
申请号: | 201811014024.7 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109256339B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 林仲康;韩荣刚;武伟;王亮;唐新灵;张喆;石浩;李现兵;张朋;田丽纷 | 申请(专利权)人: | 全球能源互联网研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/66 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 102209 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种芯片子模组与凸台的匹配方法及压接型IGBT器件的封装方法,其中芯片子模组与凸台的匹配方法,通过将芯片子模组的高度偏差进行分组,然后将分组后的芯片子模组的高度偏差分别与随机生成的待匹配凸台的高度偏差进行叠加,计算待匹配凸台的整体数量匹配偏差值,然后与第二预设阈值进行比较,并对待匹配凸台的差值进行补偿直到整体数量匹配偏差小于第二预设阈值,进而实现芯片子模组与待匹配凸台一一对应的目的。本发明可以实现对批量的芯片子模组与待匹配凸台的快速匹配,即提高了匹配效率,且可以使得整体匹配误差较小,通过该匹配方式有利于压接型IGBT器件的封装,进而保证了压接型IGBT器件具有良好的电气特性。 | ||
搜索关键词: | 芯片 模组 匹配 方法 压接型 igbt 器件 封装 | ||
【主权项】:
1.一种芯片子模组与凸台的匹配方法,其特征在于,包括如下步骤:S11、获取芯片子模组的高度偏差和数量;S12、根据所述芯片子模组的高度偏差和数量,对所述芯片子模组的高度偏差进行分组,相邻两组的所述芯片子模组的高度偏差的差值为第一预设阈值;S13、随机生成多个待匹配凸台的高度偏差,并对所述多个待匹配凸台的高度偏差进行分组,相邻两组的所述待匹配凸台的高度偏差的差值为所述第一预设阈值;S14、分别统计每组所述芯片子模组的高度偏差的对应数量和每组所述待匹配凸台的高度偏差的对应数量;S15、当每组所述待匹配凸台的高度偏差与每组所述芯片子模组的高度偏差相等时,判断每组所述待匹配凸台的高度偏差的对应数量与每组所述芯片子模组的高度偏差的对应数量的差值是否大于零;S16、当所述差值大于零,根据所述差值计算所述芯片子模组与所述待匹配凸台的整体数量匹配偏差值,并判断该所述整体数量匹配偏差值是否大于第二预设阈值;S17、当所述整体数量匹配偏差值大于所述第二预设阈值时,对存在所述差值的所述每组所述待匹配凸台的高度偏差的对应数量进行差值补偿;S18、循环所述步骤S13‑步骤S17,直到所述整体数量匹配偏差值小于所述第二预设阈值使得所述芯片子模组与所述待匹配凸台匹配为止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司,未经全球能源互联网研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811014024.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造