[发明专利]一种瞬变电压抑制二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811014089.1 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109300993B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 孙春明;陈敏;戴维;虞翔;袁琼;刘宗金;夏杰 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种瞬变电压抑制二极管，包括：衬底，为P型，包括分别定义有中心区和边缘区的一正面和一背面；保护层，覆盖于衬底的正面的边缘区之上，并将衬底的正面的中心区内的表面予以暴露；保护层予以暴露的衬底的正面的中心区内制备有一第一N阱，且第一N阱中制备有若干栅结构；衬底于背面的中心区内制备有一第二N阱，以及于边缘区内环绕第二N阱的环形P阱；第一金属层，覆盖于衬底的正面的中心区之上；第二金属层，覆盖于衬底的背面之上；以及该瞬变电压抑制二极管的制备方法；能够获得足够高的击穿电压和足够低的钳位电压，以适应具有快速充电功能的产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 抑制 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种瞬变电压抑制二极管，其特征在于，包括：衬底，为P型，包括分别定义有中心区和边缘区的一正面和一背面；保护层，覆盖于所述衬底的所述正面的所述边缘区之上，并将所述衬底的所述正面的所述中心区内的表面予以暴露；所述保护层予以暴露的所述衬底的所述正面的所述中心区内制备有一第一N阱，且所述第一N阱中制备有若干栅结构；所述衬底于所述背面的所述中心区内制备有一第二N阱，以及于所述边缘区内环绕所述第二N阱的环形P阱；第一金属层，覆盖于所述衬底的所述正面的所述中心区之上；第二金属层，覆盖于所述衬底的所述背面之上。
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