[发明专利]一种半导体器件

摘要

本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的源极和漏极能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该存储器的结构有利于降低存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。此外，漏极与源极形成的PN结与电荷遂穿层可以零距离接触，从而减小了穿过PN结处的遂穿电流的衰减，进而提高了半导体器件的各种操作速率。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层间隔设置的栅极层以及贯穿所述堆叠结构的沟道孔；形成于所述沟道孔侧壁的存储器层，所述存储器层包括电荷隧穿层，所述电荷隧穿层沿所述沟道孔的周向方向包括第一部分侧壁和第二部分侧壁；位于所述沟道孔内并位于所述电荷隧穿层径向内侧的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层；所述第一掺杂类型材料层与第二掺杂类型材料层接触，且所述第一掺杂类型材料层覆盖所述电荷遂穿层的第一部分侧壁，所述第二掺杂类型材料层覆盖所述电荷遂穿层的第二部分侧壁；所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中，一个为源极，另一个为漏极。