[发明专利]铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法在审
| 申请号： | 201811014920.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109346390A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈奎;余静;邱叶红;米伟光 | 申请（专利权）人： | 湖北汉光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;H01J43/04;G04F5/14 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 王和平 |
| 地址： | 432000 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及铯原子钟领域，公开了一种铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，以金属银作为基体材料，以金属镁作为活性物质，熔炼制得银镁合金，然后将银镁合金进行真空退火处理，再放入真空设备中升温，充入氧气、二氧化碳或水蒸气中的一种，待银镁合金冷却至室温后，再次将真空设备抽真空，当真空压力小于等于5×10‑2Pa后，升温至350℃～550℃，然后充入50Pa～500Pa氧气，再将银镁合金冷却至室温，即在银镁合金表面制得MgO膜，制成二次发射体。本发明铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，使制得的MgO膜更加致密和牢固，同时改善MgO膜的晶体结构，使装配此二次发射体的电子倍增器能满足铯束管长时间连续使用的要求和铯束管的寿命要求。 | ||
| 搜索关键词： | 二次发射体 银镁合金 电子倍增器 真空设备 束管 氧气 冷却 制作 致密 水蒸气 活性物质 基体材料 晶体结构 时间连续 寿命要求 真空退火 真空压力 抽真空 金属镁 金属银 原子钟 熔炼 二氧化碳 放入 装配 | ||
【主权项】：
1.一种铯束管用电子倍增器的二次发射体的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：A)以金属银作为基体材料，以金属镁作为活性物质，熔炼制得银镁合金；B)将所述步骤A)中熔炼好的银镁合金进行真空退火处理；C)将所述步骤B)中处理好的银镁合金放入真空设备中升温，然后充入氧气、二氧化碳或水蒸气中的一种；D)将所述步骤C)中的银镁合金冷却至室温后，再次将真空设备抽真空，当真空压力小于等于5×10‑2Pa后，升温至350℃～550℃，然后充入50Pa～500Pa氧气，再将银镁合金冷却至室温，即在银镁合金表面制得MgO膜，制成二次发射体。
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