[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201811015628.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109326691A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吕蒙普;叶芸;郭炳磊;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N型层；在N型层上生长多量子阱层，多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层GaN量子垒层，控制反应室压力为500～760torr，向反应室通入三乙基镓和三甲基铟生长InGaN量子阱层；在多量子阱层上生长P型层。本发明通过提高InGaN量子阱层的生长压力，可以减小通入的三乙基镓的流量，从而可以减少生长出的InGaN量子阱层中的C含量，改善了InGaN量子阱层的晶体质量。同时InGaN量子阱层的生长压力的提高，有利于三甲基铟中In的并入，更多的In可以有效进入多量子阱层中，提高了发光二极管的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱层 多量子阱层 生长 发光二极管外延 三甲基铟 三乙基镓 生长压力 衬底 半导体技术领域 制造 发光二极管 反应室压力 内量子效率 量子垒层 周期交替 反应室 缓冲层 减小 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、N型层；在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层GaN量子垒层，控制反应室压力为500～760torr，向所述反应室通入三乙基镓和三甲基铟生长所述InGaN量子阱层；在所述多量子阱层上生长P型层。
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