[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
申请号: | 201811015764.2 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109411575B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层,所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上,所述发光二极管外延片还包括缺陷改善层,所述缺陷改善层设置在所述N型半导体层和所述有源层之间;所述缺陷改善层包括依次层叠的第一子层和第二子层,所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝,所述第二子层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓。本发明通过先设置未掺杂的氮化铝层,再在氮化铝层上设置N型掺杂的氮化铝镓层,可以大大提升氮化铝镓层的晶体质量,进而提高有源层的长晶质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管外延片,所述发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层,所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上,其特征在于,所述发光二极管外延片还包括缺陷改善层,所述缺陷改善层设置在所述N型半导体层和所述有源层之间;所述缺陷改善层包括依次层叠的第一子层和第二子层,所述第一子层的材料采用未掺杂的氮化铝,所述第二子层的材料采用N型掺杂的氮化铝镓。
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