[发明专利]一种mini LED芯片的制备方法及外延垒晶晶片、芯片在审
| 申请号： | 201811015965.2 | 申请日： | 2018-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN110021686A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 朱俊宜;庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523500 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种mini LED芯片的制备方法，其步骤包括：在外延垒晶衬底上生长以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层，在以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层上外延生长外延垒晶层，定义发光区，制备掩膜，蚀刻出N氮化镓平台、蚀刻出有形发光区至N氮化镓层，制备P电极、N电极，分mini LED芯片至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处，电极表面固定于同一基板的同一表面，剥离外延垒晶衬底，对剥离处表面进行抛光减薄芯片厚度至预设厚度，对芯片氮化镓平台支撑层表面进行粗糙化或图形化处理，利用本发明制备mini LED芯片方法制备的芯片提高了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 制备 平台支撑 芯片 蚀刻 发光区 衬底 剥离 图形化处理 氮化镓层 电极表面 垒晶晶片 抛光减薄 同一表面 同一基板 外延生长 粗糙化 良率 掩膜 预设 生长 | ||
【主权项】：
1.一种mini LED芯片的制备方法，其特征在于，芯片尺寸为W，芯片的高度为T，50µm<W<250µm，1<W/T<10，其步骤包括：a 外延垒晶衬底在外延垒晶前，在外延垒晶衬底上生长以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层；b 在以氮化镓为材料的氮化镓平台支撑层上外延生长外延垒晶层；c 定义发光区，制备掩膜，蚀刻出N氮化镓平台、蚀刻出有形发光区至N氮化镓层；d 在外延垒晶层中的P‑氮化镓层、N‑氮化镓层上分别制备P电极、N电极，使N型氮化镓层上的N电极与P型氮化镓层上的P电极的上表面水平的差值为h，h≤0.2µm；e 在外延垒晶晶片上分mini LED芯片至外延垒晶衬底处或氮化镓平台支撑层处；f N型氮化镓层上的N电极表面、P型氮化镓层上的P电极表面固定于同一基板的同一表面；g 利用激光剥离外延垒晶衬底；h 对mini LED芯片剥离处表面进行抛光减薄芯片厚度至预设厚度；i 对芯片氮化镓平台支撑层表面进行粗糙化或图形化处理。
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