[发明专利]三维叠层半导体元件有效
| 申请号： | 201811016907.1 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110875331B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L23/528;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维叠层半导体元件，包括一基板和多个叠层结构形成于基板上方。各叠层结构包括：多个第一导电层和多个绝缘层交替叠置于该基板上方，以及一第二导电层。其中第一导电层为第一导电型多晶硅层且在第一方向上具有第一宽度。第二导电层形成于这些绝缘层的上方，第二导电层为第二导电型多晶硅层且在第一方向上具有第二宽度，其中，第二宽度等于第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 元件 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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