[发明专利]表面等离子体共振传感芯片的制备及其使用方法有效
| 申请号： | 201811018795.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109239019B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 秦连松;陈兴;张璐璐;崔大付;徐春方;任艳飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种表面等离子体共振传感芯片的制备方法，该方法包括以下步骤：S1、清洗基片并烘干，在基片上制备一层铬膜；S2、在铬膜上制备一层介质层；以及S3、在介质层上形成一层金属层，金属层包括金层或银层，其中，介质层包括聚甲基丙甲酸甲酯、IR‑140染料以及二氯甲烷，介质层用于提高表面等离子体共振传感芯片的灵敏度，并扩大表面等离子体共振传感芯片的检测范围。本发明还提供一种利用上述方法制备的表面等离子体共振传感芯片进行检测的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 共振 传感 芯片 制备 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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